| |
| 新闻中心 |
|
| |
|
|
| |
| 资讯搜索 |
|
| |
|
 |
|
|
|
|
|
| |
| 几种新的封装工艺 |
| 1 新圆片级封装工艺
1.1 OSmium晶圆级封装工艺
2006年8月，位于美国爱达华州首府博伊西的美光公司推出了OSmium圆片级封装工艺，它包括三个关键封装技术：
(1)贯通圆片的互连。它通过直接钻过裸电绑定焊盘，然后把导电材料与通孔连接起来，为连接第二块裸片的绑定焊盘提供了最短的路径；
(2)重分布技术。允许焊球从裸片绑定焊盘被重分布，以满足裸片边缘标准和定制球形的要求；
(3)圆片级封装技术。把仍然位于圆片上的裸片从六边封装起来。
该公司能以较低成本提供仅比裸片器件大几个微米的已封装器件，如存储器和图像传感器等。这种圆片级封装工艺能降低封装成本，使封装成本只占最终器件总成本的15％～25％。该公司总裁兼CEO Steve Appleton表示，采用这种圆片级封装工艺能够把裸片面积减少一半。18个月后该封装可达商品化。
1．2业界最小的圆片级封装相机控制处理器
2006年8月，Mtek Vision公司采用圆片级封装技术推出业界最小的相机控制处理器(CCP)MV30119 SNW，封装尺寸为4．6mm*4．6mm，比市售CCP缩小40％以上。它是在同一道工序中整合对圆片的加工处理和对芯片的封装，先通过光敏电介质将芯片粘贴在圆片上，在布线之后用光敏电介质再一次粘接。这样可省去传统封装所需的塑料、PCB和连接线。
2 新SiP封装
2．1 Smafti封装工艺
2006年8月，NEC公司推出Smafti(smart chip connection with feed through interposer)封装工艺，它属于SiP封装，在单一封装内堆叠逻辑、Gb内存等芯片。该封装工艺有三个关键技术：(1)在逻辑和存储芯片之间有一个仅60μm的缝隙和一个50μm间距的微焊点；(2)连接性能超群的15μm导通线接板技术；(3)多芯片组装技术。这种新SiP封装工艺与传统SiP相比，后者由于线接板较厚导致封装尺寸更大，使信号传输速度、接线互连性和芯片并排布置上有所局限。由于Smafti封装工艺克服了传统SiP的缺点，其传输速度提高了10倍，达100Gb•S-1。该公司于2007年1季度提供各种尺寸的无铅Smafti封装。
2．2单封装的移动电视应用处理器
2006年7月，NEC电子公司在单一封装内整合3块芯片，构成单封装的移动电视应用处理器MC10051F1，这3块芯片是：
(1)集成图像及音频处理的DSP内核和CPU内核的LSI-MP201Core Logic；
(2)USB 2．0和TAT等接口的LSI；
(3)电源LSI，其中MP201 Core Logic芯片与接口LSI芯片相邻，电源LSI芯片堆叠在MP201 Core Logic芯片之上。
这块SiP封装尺寸为14mmxl4mm，与3块分立LSI封装面积相比，封装面积减少了15％。同时还可节约单独处理芯片设计电路的时间，能缩短一半的开发周期。该产品2006年9月供货，单价25．7美元。
2．3设计SiP封装的EDA产品
由于SiP封装可广泛应用于手机、蓝牙、WLAN和包交换网络等无线、网络及消费类电子领域，所以SiP封装产品出货量逐年增加，据Stmico预测，2007年SiP合同制造商收入将达7479万美元。为了提高SiP制造商的设计能力，2006年6月，Cadence公司推出业界首款设计完整的SiP的EDA产品，它是一套自动化、整合的、可依赖的、可复用的电子设计自动化工具。 它包括：(1)Cadence Radio Frequency SiP Method ology Kit；(2)两款新RFSiP产品：Cadence SiP RF架构和Cadence SiP RF版图；(3)三款新数字SiP产品：Cadence SiP数字架构、Cadence SiP数字信号完整和Cadence SiP数字版图。
2．4 摩托罗拉3G手机大量采用SiP封装
2006年6月，摩托罗拉公司推出一款3G手机E1000，它是一部通用移动通讯系统(UMTS)的手机，融合2G GSM和3G WCDMA，在性能上包括UMTS通讯、图像加速、MP3播放、MIDl支持、铃声乐曲、GPS、一键通(PTT)、蓝牙、双相机设计(120万像素带图像编辑)等多种功能。3G手机E1000核心通讯部分采用4块飞思卡尔的SiP封装产品：(1)PCM29415芯片，堆叠4片IC裸片、1片基带处理器、2片32MB英特尔NOR内存和1片16MB三星移动型DRAM；(2)MMM7200芯片，堆叠基带处理器与RF电路数字接口；(3)PMM6017芯片，堆叠3片IC裸片、GSM收发器+WCDMA接收器+RF合成器；(4)MMM6016芯片，堆叠1片IC、1个声表面滤波器和RF无源元件。
3 CDFN封装工艺
目前大多数DRAM采用TSOP和BGA封装，为了使芯片面积与封装面积之比更小，缩短数据传输的延迟时间，2006年8月，SiS公司推出CDFN封装工艺，并通过欧洲RoHS规范。这种封装工艺特别适用于引脚数少的IC，如内存和用于便携式电子产品的IC。
4 RCP封装工艺
2006年7月，飞思卡尔公司推出一种重分布芯片的RCP封装工艺(Redistributed Chip Packaging)，即在25mmx25mm的封装面积内集成3G手机所有元器件，包括存储器、电源管理、基带处理器、RF收发器和RF前端模块等。它与BGA相比，封装面积减少了30％，能取代BGA和倒装芯片成为主流封装技术。RCP可在手机和游戏机平台的高密度电路中使用线绑和盲孔。RCP利用批处理光刻和镀金属技术，当定义和实现子系统的时候，把金属逐步镀到嵌入式裸片上。该技术不仅可用于BGA，而且可用于单芯片或多芯片模块，因为布线层在裸片上放置，并直接连接到BGA的焊盘上。RCP兼容超低k介质材料，并符合RoHs规范。该公司从现在起至2008年，将RCP封装推广至Power Quice、DSP、基带处理器、电源和放大器等。RCP封装还与SiP、POP及集成自定封装的工艺兼容。
5 超薄型封装
5.1 业界最小、最薄的变容二极管
超薄型封装一直是半导体封装的主攻方向之一。2006年8月，瑞萨公司推出两款用于数字地面广播的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管。所谓可调式天线是一种可改变共振频率以高效接收各种频率的天线。其中一款RKV653Kp可调式天线变容二极管是目前业界最小、最薄的变容二极管，其尺寸为0.6mmxO．3mmx0．3mm，2005年瑞萨推出SFP型变容二极管，其尺寸为1．0mmx0．6mm。RKV653Kp采用电极位于封装下侧的结构，下侧电极采用镀金工艺。
5.2 业界最薄的Wi—Fi系统功放
2006年8月，SiGe半导体公司推出超薄Wi-Fi系统2.4GHz功放Range charger SE2523BL1，采用16引脚小型QFN封装，其尺寸为3．0mmx3．0mmx0．5mm。它适用于便携式消费类电子产品，如PDA、Wi-Fi语言手机、照相机、蜂窝手机、电脑外设和车用设备等。它集成了数字使能电路、功率检测器和偏置电路等。在802．11g模式下，具有+：18．5dBm功率输出；在802．11b模式下，具有+23dBm功率输出。该功放基于SiGe架构，能在3．3V单电源下工作，当输出功率为+18．5dBm时，电流消耗低至130mA，比现有产品减少了25％。
| | | 来源：Internet 时间：2008-6-2 15:31:40 |  |
|
|
|
|
|
|
