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| 肖特基二极管器件可使 DC/DC 转换器效率提高 6% |
| Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET 是单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件，已经过测试，可匹敌竞争的单片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用 SkyFET 器件的电路在运行时均具有更高效率，可使 DC/DC 转换器效率提高 6% 。
Si4642DYSkyFET 功率 MOSFET 面向笔记本电脑内核电压与 VRM 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 MOSFET。该器件击穿电压达30V，在10V 栅极驱动下， 导通电阻为3.75 毫欧。
与使用单独元件或共同封装的元件相比，将肖特基二极管与 MOSFET 整合到单个芯片上不仅节省了板面空间，而且还通过三个主要方式提高了器件性能。
首先，肖特基二极管中的正向压降 (VF) 远低于 MOSFET 的内在体二极管中的压降。当在降压转换器应用中的停滞时间关闭 MOSFET 时，这将实现极低的功耗。
第二个改进是肖特基二极管的反向恢复电荷 (QRR) 比 MOSFET 体二极管的 QRR更低。与标准 MOSFET 体二极管相比，Vishay Siliconix SkyFET 技术可使器件中的 QRR降低几乎 20%，这可在轻负载下提高转换器的效率。
最后，将肖特基二极管整合到 MOSFET 芯片中可消除在将它们作为单独元件安装到 PCB 或共同封装单独 MOSFET 及肖特基二极管元件时存在的寄生电感。与共同封装的等同 MOSFET/肖特基器件相比，Si4642DY可实现更高的效率、更稳定的波长，以及在 4.5V 时低 55% 的导通电阻。
| | | 来源：Internet 时间：2008-6-3 9:11:20 |  |
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